MT41K256M16HA-107G:E vs H5TC4G63CFR-H9J Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-107G:E por Micron Technology y H5TC4G63CFR-H9J por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-107G:E MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16HA-107G:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-107G:E H5TC4G63CFR-H9J
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,00 $6,00
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Clock Frequency 933 MHz —
Access Time 20 ns —
Tensión de alimentación 1.35V —
Interfaz Parallel —
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball TFBGA
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Ancho del bus de datos 16 bit —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Latencia CAS [DATA_NEEDED: CAS latency] —
Número de pines 96 —
Density — 4Gb
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35V +0.100/-0.067V
Speed Grade — -H9 (1866 Mbps / PC3-14900)
Number of Terminals — 96
Temperature Grade — Industrial
Sin halógenos — Yes
RoHS Compliant — Yes
Clock Input — Fully differential (CK, CK)
Data Strobe — Differential (DQS, DQS)
On-Chip DLL — Yes
Data Mask (DM) — Yes

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