MT41K256M16HA-125:E vs IS43TR16256AL-125KBL Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology und IS43TR16256AL-125KBL von ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Aktiv
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125:E IS43TR16256AL-125KBL
Marke Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $5,60
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
CAS-Latenz 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (TC) —
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Datenbusbreite 16 bits —
Logic Family CMOS —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Schnittstelle — Parallel
Access Time — 20 ns
Versorgungsspannung — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Betriebstemperatur — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
Datenrate — 1600 Mbps
Number of Terminals — 96

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