MT41K256M16HA-125:E vs IS43TR16256AL-125KBL 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology 和 IS43TR16256AL-125KBL 出自 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125:E IS43TR16256AL-125KBL
品牌 Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $3.10 $5.60
存储器类型 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
存储组织 256M x 16 —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
CAS 延迟 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
封装 96-FBGA (9x14 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
引脚数 96 —
安装类型 Surface Mount Surface Mount
工作温度范围 0°C to +95°C (TC) —
RoHS 状态 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
数据总线宽度 16 bits —
Logic Family CMOS —
存储容量 — 4Gbit (256M x 16)
接口 — Parallel
Access Time — 20 ns
电源电压 — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
工作温度 — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
数据速率 — 1600 Mbps
Number of Terminals — 96

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