MT41K256M16HA-125:E vs IS43TR16256AL-125KBL 비교

다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology 및 IS43TR16256AL-125KBL 제조: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 활성
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-125KBL IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-125KBL ✓ 활성

사양 비교

파라미터 MT41K256M16HA-125:E IS43TR16256AL-125KBL
브랜드 Micron Technology ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $3.10 $5.60
메모리 유형 DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
메모리 구성 256M x 16 —
Clock Frequency 800 MHz 800 MHz
CAS 레이턴시 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
패키지 96-FBGA (9x14 mm) 96-TWBGA (9x13mm)
핀 수 96 —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
동작 온도 범위 0°C to +95°C (TC) —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
데이터 버스 폭 16 bits —
Logic Family CMOS —
메모리 크기 — 4Gbit (256M x 16)
인터페이스 — Parallel
Access Time — 20 ns
공급 전압 — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
동작 온도 — 0°C ~ 95°C
Memory Format — DRAM
Technology — SDRAM - DDR3L
데이터 속도 — 1600 Mbps
Number of Terminals — 96

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