MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-125:D
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $4,19
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS-Latenz 13.75 ns 11
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) FBGA-96 (9x14 mm)
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (TC) —
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Datenbusbreite 16 bits —
Logic Family CMOS —
Versorgungsspannung — 1.35 V
Datenrate — 1600 MT/s
Betriebstemperatur — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

Datenblätter & Ressourcen

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