MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-125:D 对比

详细并排对比 MT41K256M16HA-125:E 出自 Micron Technology 和 MT41K256M16RE-125:D 出自 Micron Technology。对比关键规格、电气参数、封装、生命周期状态、价格和供货情况,以确定最适合您设计需求的元器件。

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ 量产中
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ 量产中

规格对比

参数 MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-125:D
品牌 Micron Technology Micron Technology
分类 Memory ICs Memory ICs
生命周期状态 有效 有效
库存状态 有库存 有库存
单价(USD) $3.10 $4.19
存储器类型 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
存储组织 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS 延迟 13.75 ns 11
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
封装 96-FBGA (9x14 mm) FBGA-96 (9x14 mm)
引脚数 96 —
安装类型 Surface Mount —
工作温度范围 0°C to +95°C (TC) —
RoHS 状态 Compliant —
Lead-Free Yes Yes
数据总线宽度 16 bits —
Logic Family CMOS —
电源电压 — 1.35 V
数据速率 — 1600 MT/s
工作温度 — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

数据手册与资源

浏览全部产品 创建 BOM 获取报价