MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16RE-125:D Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology y MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Activo
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MT41K256M16RE-125:D MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron

MT41K256M16RE-125:D ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16RE-125:D
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $4,19
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit 4 Gb
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latencia CAS 13.75 ns 11
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) FBGA-96 (9x14 mm)
Número de pines 96 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (TC) —
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Ancho del bus de datos 16 bits —
Logic Family CMOS —
Tensión de alimentación — 1.35 V
Velocidad de datos — 1600 MT/s
Temperatura de funcionamiento — 0C to +95C (TC)
RoHS — Compliant
Burst Length — 8, 4
On-Die Termination — Yes
Auto-Refresh — Yes
Self-Refresh — Yes
Ball Pitch — 0.8 mm

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