MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-G7A Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5TC4G63AFR-G7A von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Aktiv
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-G7A
Marke Micron Technology SK hynix
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $6,36 $6,50
Speichertyp SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) —
Datenbusbreite 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperatur [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 95°C (case)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
CAS-Latenz 11 Programmable (e.g., 11)
Density — 4Gb
Speicherorganisation — 256M x 16
Datenrate — 1600 Mbps (PC3-12800)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
RoHS — Compliant
Halogenfrei — Yes
Process Technology — CMOS

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