MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-G7A Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology e H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Ativo
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-G7A
Marca Micron Technology SK hynix
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,36 $6,50
Tipo de memória SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamanho da memória 4Gbit (256M x 16) —
Largura do barramento de dados 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensão de alimentação 1.35 V 1.35V
Encapsulamento 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Número de pinos 96 —
Tipo de montagem Surface Mount —
Temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 95°C (case)
Status RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latência CAS 11 Programmable (e.g., 11)
Density — 4Gb
Organização da memória — 256M x 16
Taxa de dados — 1600 Mbps (PC3-12800)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
RoHS — Compliant
Livre de halogênio — Yes
Process Technology — CMOS

Fichas técnicas e recursos

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