MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63AFR-G7A Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology y H5TC4G63AFR-G7A por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125 MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125 ✓ Activo
SK hynix
H5TC4G63AFR-G7A H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V | SK Hynix

H5TC4G63AFR-G7A ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125 H5TC4G63AFR-G7A
Marca Micron Technology SK hynix
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $6,36 $6,50
Tipo de memoria SDRAM - DDR3L DDR3L SDRAM
Tamaño de memoria 4Gbit (256M x 16) —
Ancho del bus de datos 16 bit —
Clock Frequency 800 MHz —
Access Time 13.75 ns —
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35V
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) 96-ball FBGA
Número de pines 96 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to 95°C (case)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes Yes
Logic Family CMOS —
Refresh Interval 7.8 us at 85C —
Latencia CAS 11 Programmable (e.g., 11)
Density — 4Gb
Organización de memoria — 256M x 16
Velocidad de datos — 1600 Mbps (PC3-12800)
Burst Length — 8 and 4
Refresh Period — 7.8us at 85°C
On-Die Termination — Supported
RoHS — Compliant
Sin halógenos — Yes
Process Technology — CMOS

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