MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125 von Micron Technology und H5TC4G63MFR-PBA von SK hynix. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | SK hynix |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,36 | $6,50 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| CAS-Latenz | 11 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Speicherorganisation | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Datenrate | — | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |