MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16HA-125 par Micron Technology et H5TC4G63MFR-PBA par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $6,36 | $6,50 |
| Type de mémoire | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Largeur du bus de données | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| Latence CAS | 11 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Débit de données | — | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |