MT41K256M16HA-125 vs H5TC4G63MFR-PBA Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125 por Micron Technology y H5TC4G63MFR-PBA por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16HA-125 | H5TC4G63MFR-PBA |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,36 | $6,50 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | — |
| Ancho del bus de datos | 16 bit | — |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| Access Time | 13.75 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Número de pines | 96 | — |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Logic Family | CMOS | — |
| Refresh Interval | 7.8 us at 85C | — |
| Latencia CAS | 11 | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V (+0.100V/-0.067V) |
| Velocidad de datos | — | 1866 Mbps (PC3L-14900) |
| Number of Banks | — | 8 |
| Burst Length | — | BL8, BL4 (with burst chop) |
| CAS Latency (CL) | — | Programmable |
| CAS Write Latency (CWL) | — | Programmable |
| Additive Latency | — | Programmable |
| On-Die Termination (ODT) | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Temperature-Compensated Self-Refresh | — | Yes |
| Process Technology | — | 30nm-class |
| RoHS Compliant | — | Yes (Lead-Free & Halogen-Free) |