MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16LY-107:N Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16HA-125:E von Micron Technology und MT41K256M16LY-107:N von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16LY-107:N
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $3,10 $8,10
Speichertyp DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
CAS-Latenz 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Gehäuse 96-FBGA (9x14 mm) —
Anzahl der Pins 96 —
Montageart Surface Mount —
Betriebstemperaturbereich 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
RoHS-Status Compliant —
Lead-Free Yes —
Datenbusbreite 16 bits 16 bit
Logic Family CMOS —
Speichergröße — 4 Gbit
Maximale Taktfrequenz — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Versorgungsspannung — 1.35 V
Gehäuse / Bauform — 96-FBGA (7.5x13.5)
Montagestil — Surface Mount
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

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