MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16LY-107:N Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16HA-125:E por Micron Technology y MT41K256M16LY-107:N por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E - 4Gbit DDR3L SDRAM 800MHz | Micron

MT41K256M16HA-125:E ✓ Activo
Micron Technology
MT41K256M16LY-107:N MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N - 4Gbit DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16LY-107:N ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT41K256M16HA-125:E MT41K256M16LY-107:N
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,10 $8,10
Tipo de memoria DDR3L SDRAM SDRAM - DDR3L
Density 4 Gbit —
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Clock Frequency 800 MHz —
Latencia CAS 13.75 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.35 V (DDR3L) —
Supply Voltage (VDDQ) 1.35 V —
Encapsulado 96-FBGA (9x14 mm) —
Número de pines 96 —
Tipo de montaje Surface Mount —
Rango de temperatura de funcionamiento 0°C to +95°C (TC) 0°C to +95°C (Tc)
Estado RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
Ancho del bus de datos 16 bits 16 bit
Logic Family CMOS —
Tamaño de memoria — 4 Gbit
Frecuencia de reloj máxima — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Tensión de alimentación — 1.35 V
Encapsulado / Carcasa — 96-FBGA (7.5x13.5)
Estilo de montaje — Surface Mount
RoHS — Compliant
Memory Format — DRAM
Technology — DDR3L
Supply Voltage - Min — 1.283 V
Supply Voltage - Max — 1.45 V

Hojas de datos y recursos

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