MT41K256M16HA-125:E vs MT41K256M16LY-107:N 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16HA-125:E 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16LY-107:N 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16HA-125:E | MT41K256M16LY-107:N |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.10 | $8.10 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Clock Frequency | 800 MHz | — |
| CAS 레이턴시 | 13.75 ns | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.35 V (DDR3L) | — |
| Supply Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9x14 mm) | — |
| 핀 수 | 96 | — |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 범위 | 0°C to +95°C (TC) | 0°C to +95°C (Tc) |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| 데이터 버스 폭 | 16 bits | 16 bit |
| Logic Family | CMOS | — |
| 메모리 크기 | — | 4 Gbit |
| 최대 클록 주파수 | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| 패키지 / 케이스 | — | 96-FBGA (7.5x13.5) |
| 장착 스타일 | — | Surface Mount |
| RoHS | — | Compliant |
| Memory Format | — | DRAM |
| Technology | — | DDR3L |
| Supply Voltage - Min | — | 1.283 V |
| Supply Voltage - Max | — | 1.45 V |