MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology und MT41K256M16 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | DRAM |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $4,19 | $2,42 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | — |
| Datenrate | 1600 MT/s | — |
| CAS-Latenz | 11 | — |
| Gehäuse | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| Montageart | — | Surface Mount |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| Schnittstelle | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |