MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de MT41K256M16RE-125:D par Micron Technology et MT41K256M16 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| Marque | Micron Technology | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $4,19 | $2,42 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | — |
| Débit de données | 1600 MT/s | — |
| Latence CAS | 11 | — |
| Boîtier | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | 0C to +95C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| Interface | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |