MT41K256M16RE-125:D vs MT41K256M16 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16RE-125:D от Micron Technology и MT41K256M16 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16RE-125:D | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | DRAM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $4,19 | $2,42 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Density | 4 Gb | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Напряжение питания | 1.35 V | — |
| Скорость передачи данных | 1600 MT/s | — |
| Задержка CAS | 11 | — |
| Корпус | FBGA-96 (9x14 mm) | 96-ball FBGA |
| Рабочая температура | 0C to +95C (TC) | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Burst Length | 8, 4 | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes (ODT) |
| Auto-Refresh | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Ball Pitch | 0.8 mm | — |
| Размер памяти | — | 4 Gbit |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| Интерфейс | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |