MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16RE-15E:D von Micron Technology und MT41K256M16RE-125:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ AktivMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $7,20 | $4,19 |
| Speichertyp | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | 4Gb (256M x 16) | — |
| Datenrate | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| Gehäuse | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS-Latenz | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| Anzahl der Pins | 96 | — |
| RoHS-Status | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |