MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16RE-15E:D por Micron Technology y MT41K256M16RE-125:D por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16RE-15E:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-15E:D ✓ ActivoMicron Technology
MT41K256M16RE-125:D - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Micron
MT41K256M16RE-125:D ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $7,20 | $4,19 |
| Tipo de memoria | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4Gb (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| Tensión de alimentación | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| Encapsulado | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| Interfaz | Parallel | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Latencia CAS | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| Número de pines | 96 | — |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |