MT41K256M16RE-15E:D vs MT41K256M16RE-125:D 비교
다음의 상세 나란히 비교: MT41K256M16RE-15E:D 제조: Micron Technology 및 MT41K256M16RE-125:D 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | MT41K256M16RE-15E:D | MT41K256M16RE-125:D |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $7.20 | $4.19 |
| 메모리 유형 | SDRAM - DDR3L | DDR3L SDRAM |
| 메모리 크기 | 4Gb (256M x 16) | — |
| 데이터 속도 | 667 MHz (DDR3L-1333) | 1600 MT/s |
| Access Time | 13.5 ns | — |
| 공급 전압 | 1.283 V to 1.45 V (nominal 1.35 V) | 1.35 V |
| 패키지 | 96-FBGA (10x14 mm) | FBGA-96 (9x14 mm) |
| 실장 유형 | Surface Mount | — |
| 동작 온도 | -40°C to 95°C (TC) | 0C to +95C (TC) |
| 인터페이스 | Parallel | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| CAS 레이턴시 | 11 (typical) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 |
| 핀 수 | 96 | — |
| RoHS 상태 | Compliant | — |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| Density | — | 4 Gb |
| RoHS | — | Compliant |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Auto-Refresh | — | Yes |
| Self-Refresh | — | Yes |
| Ball Pitch | — | 0.8 mm |