MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology und MT41K256M16 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16 MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 - 4Gb DDR3L SDRAM 1.35V x16 | Micron Technology

MT41K256M16 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16
Marke Micron Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs DRAM
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $16,00 $2,42
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM (1.35V)
Speichergröße 4Gbit (256M x 16) 4 Gbit
Clock Frequency 933 MHz —
Datenrate 1866 MT/s —
Versorgungsspannung 1.35V —
I/O Voltage 1.35V —
CAS-Latenz 13 —
tRCD 20 ns —
tRP 20 ns —
Burst Length 8 —
Gehäuse 96-FBGA (8x14mm) 96-ball FBGA
Betriebstemperatur 0°C to +95°C [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix]
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Speicherorganisation — 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) — 1.35 V (1.5V-compatible mode supported)
Banks — 8
Speed Grade Options — -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options]
Schnittstelle — Parallel, source-synchronous DDR
On-Die Termination — Yes (ODT)
Refresh — 8K refresh cycles / 64 ms
CAS Latency Options — [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix]
Die Revision — Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs
ECCN — EAR99
Lead Free — Yes (per DigiKey product listing)

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