MT41K256M16TW-107:P vs MT41K256M16 Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT41K256M16TW-107:P por Micron Technology y MT41K256M16 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron
MT41K256M16TW-107:P ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | MT41K256M16TW-107:P | MT41K256M16 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $16,00 | $2,42 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM (1.35V) |
| Tamaño de memoria | 4Gbit (256M x 16) | 4 Gbit |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 MT/s | — |
| Tensión de alimentación | 1.35V | — |
| I/O Voltage | 1.35V | — |
| Latencia CAS | 13 | — |
| tRCD | 20 ns | — |
| tRP | 20 ns | — |
| Burst Length | 8 | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (8x14mm) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range for the full MPN suffix] |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35 V (1.5V-compatible mode supported) |
| Banks | — | 8 |
| Speed Grade Options | — | -093 (2133 MT/s), -107 (1866 MT/s), -125 (1600 MT/s) [per family ordering options] |
| Interfaz | — | Parallel, source-synchronous DDR |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Refresh | — | 8K refresh cycles / 64 ms |
| CAS Latency Options | — | [DATA_NEEDED: CL options for the full MPN suffix] |
| Die Revision | — | Refer to DDR3 (1.5V) SDRAM Die Rev :E datasheet for 1.5V mode specs |
| ECCN | — | EAR99 |
| Lead Free | — | Yes (per DigiKey product listing) |