MT41K256M16TW-107 vs K4A8G165WB-BCPB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107 von Micron Technology und K4A8G165WB-BCPB von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,10 | $2,30 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 512M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| Montageart | Surface Mount | — |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CAS-Latenz | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |