MT41K256M16TW-107 vs K4A8G165WB-BCPB 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16TW-107 メーカー: Micron Technology および K4A8G165WB-BCPB メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16TW-107 | K4A8G165WB-BCPB |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.10 | $2.30 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | — |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 512M x 16 |
| インターフェース | Parallel | — |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.2 V (1.14 V to 1.26 V) |
| データバス幅 | 16 bit | — |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA-96) |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| 動作温度 | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | Compliant |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 8 Gb |
| Speed Grade | — | 2133 Mbps (PC4-17000) |
| Burst Length | — | 8 (BL8) |
| Burst Type | — | Sequential and Interleave |
| CASレイテンシ | — | Programmable (e.g., 15, 16, 18) |
| Refresh | — | Auto and Self Refresh |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Package Code | — | TFBGA |
| Package Shape | — | RECTANGULAR |
| Terminal Position | — | BOTTOM |