MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MT41K256M16TW-107 von Micron Technology und K4B4G1646D-BCNB0 von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Spezifikationsvergleich
| Parameter | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| Marke | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $14,10 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | — |
| Speichergröße | 4 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Schnittstelle | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| Datenbusbreite | 16 bit | — |
| Gehäuse | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| Betriebstemperatur | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS-Status | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSL-Level | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Datenrate | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| Halogenfrei | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CAS-Latenz | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| Anzahl der Pins | — | 96 |
| Die | — | D-die |