MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 比較
詳細な並列比較: MT41K256M16TW-107 メーカー: Micron Technology および K4B4G1646D-BCNB0 メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| ブランド | Micron Technology | Samsung Electronics |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.10 | $6.50 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | — |
| メモリサイズ | 4 Gbit | — |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| インターフェース | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| 電源電圧 | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| データバス幅 | 16 bit | — |
| パッケージ | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | Surface Mount |
| 動作温度 | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS ステータス | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| MSLレベル | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| データレート | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| CASレイテンシ | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| ピン数 | — | 96 |
| Die | — | D-die |