MT41K256M16TW-107 vs K4B4G1646D-BCNB0 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок MT41K256M16TW-107 от Micron Technology и K4B4G1646D-BCNB0 от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BCNB0 - 4Gb DDR3L SDRAM 2133Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BCNB0 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | MT41K256M16TW-107 | K4B4G1646D-BCNB0 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $14,10 | $6,50 |
| Тип памяти | DDR3L SDRAM | — |
| Размер памяти | 4 Gbit | — |
| Организация памяти | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Интерфейс | Parallel | DDR3L SDRAM |
| Clock Frequency | 933 MHz (DDR3L-1866) | — |
| Access Time | 20 ns | — |
| Напряжение питания | 1.35 V | 1.35 V (DDR3L) |
| Разрядность шины данных | 16 bit | — |
| Корпус | 96-FBGA (8x14 mm) | 96-FBGA |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Рабочая температура | 0C to +95C (commercial :P grade) | 0°C to 85°C |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Die Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: MSL level] | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Скорость передачи данных | — | 2133 Mbps/pin |
| Lead-Free | — | Yes |
| Без галогенов | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| Задержка CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS Latency] |
| Refresh | — | [DATA_NEEDED: Refresh rate] |
| Количество выводов | — | 96 |
| Die | — | D-die |