MT47H64M16HR-25E IT:H vs W971GG6SB25I Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von MT47H64M16HR-25E IT:H von Micron Technology und W971GG6SB25I von Winbond. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Micron Technology
MT47H64M16HR-25E IT:H MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H - 1Gb DDR2 SDRAM 400MHz 84-FBGA | Micron

MT47H64M16HR-25E IT:H ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter MT47H64M16HR-25E IT:H W971GG6SB25I
Marke Micron Technology Winbond
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,21 $1,48
Speichertyp DDR2 SDRAM (volatile) Volatile, DDR2 SDRAM
Speichergröße 1 Gbit (64M x 16) —
Speicherorganisation 8 Meg x 16 x 8 banks 8M words × 8 banks × 16 bits
Clock Frequency 400 MHz 200 MHz
Access Time 400 ps —
Data Rate (effective) 800 MT/s —
Schnittstelle Parallel (byte-wide) —
Prefetch Architecture 4n-bit —
Supply Voltage VDD 1.8 V ±0.1 V —
Supply Voltage VDDQ 1.8 V ±0.1 V (SSTL_18) —
I/O Standard JEDEC SSTL_18-compatible —
Data Strobe Differential (DQS, DQS#) —
Gehäuse 84-TFBGA (8 mm x 12.5 mm) —
Betriebstemperatur -40C to +85C (Industrial, IT:H) -40 °C to +85 °C (industrial)
RoHS-Status Compliant (lead-free) Compliant (lead-free)
Density — 1 Gbit (1,073,741,824 bits)
Maximum Data Rate — 400 MT/s (DDR2-800)
Random Access Time — 57.5 ns
Bus Width — 16 bits
Supply Voltage (VDD / V_DDQ) — 1.8 V (JEDEC SSTL-18)
Schnittstellentyp — Parallel, SSTL-18
Package Type — 84-WBGA / 84-TFBGA, 8.0 × 12.5 mm
Montageart — Surface Mount
Number of Pins / Balls — 84
Bank Count — 8
On-Die Termination (ODT) — Yes (per JEDEC DDR2)
Refresh — Auto-refresh and self-refresh
Speed Grade Suffix — 25I (DDR2-800 6-6-6, industrial)
Compliance — JEDEC DDR2 standard

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