MX30LF4G18AC-TI-T vs MT29F4G08ABADAWP-IT:D Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von MX30LF4G18AC-TI-T von Macronix und MT29F4G08ABADAWP-IT:D von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Micron Technology
MT29F4G08ABADAWP-IT:D - 4Gbit SLC NAND Flash Parallel x8 | Micron
MT29F4G08ABADAWP-IT:D ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | MX30LF4G18AC-TI-T | MT29F4G08ABADAWP-IT:D |
|---|---|---|
| Marke | Macronix | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $3,05 | $5,45 |
| Speichertyp | Non-volatile NAND Flash (SLC) | FLASH - NAND (SLC) |
| Density | 4 Gbit (512 Mbyte) | — |
| Speicherorganisation | 512M x 8 bit | — |
| Supply Voltage (VCC) | 2.7 V to 3.6 V | 2.7 V to 3.6 V |
| Schnittstelle | Parallel (asynchronous), ONFI 1.0 compliant | Parallel (byte-wide, x8) |
| Datenbusbreite | 8 bit | — |
| Access Time (tRC) | 20 ns (typical) | 25 ns |
| Page Size | 2048 byte + 64 byte spare area | 2048 + 64 bytes (or 4096 + 128 bytes in ONFI 2.1) |
| Block Size | 64 pages (128 KB + 4 KB spare) | 64 pages x 4 KB |
| Required ECC | 4-bit ECC per 528-byte sector | — |
| Program Time (typical) | 300 us per page | — |
| Erase Time (typical) | 2 ms per block | — |
| Data Retention | 10 years | — |
| Endurance (P/E Cycles) | [DATA_NEEDED: endurance cycles] | 100,000 typical (SLC) |
| Betriebstemperatur | -40 C to +85 C (industrial) | -40 C to +85 C (Industrial) |
| Gehäuse | 48-pin TSOP-I (12 mm x 20 mm) | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Compliant | Compliant |
| Speichergröße | — | 4 Gbit (512M x 8) |
| Memory Organization | — | 512M x 8 |
| ONFI Version | — | ONFI 2.1 |
| Gehäuse / Bauform | — | 48-TFSOP (0.724", 18.40 mm width) |
| Planes per Die | — | 2 |
| Packaging | — | Tray |