NCV2904DR2G vs LM358DT Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NCV2904DR2G von onsemi und LM358DT von STMicroelectronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter NCV2904DR2G LM358DT
Marke onsemi STMicroelectronics
Kategorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,19 $0,05
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Supply Voltage (Single Supply) 3.0 V to 26 V —
Supply Voltage (Split Supply) +/-1.5 V to +/-13 V —
Common Mode Input Range Extends to ground/VEE —
Output Short circuit protected —
Input Stage True differential input —
Compensation Internally compensated —
ESD Protection ESD clamps on inputs —
Input Bias Current Low input bias current 45 nA (typical)
Power Drain Low power drain —
Gehäuse SOIC-8 (Case 751, D suffix) SOIC-8 (SO-8)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Qualification NCV automotive grade —
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +70°C
Number of Channels — 2
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Split) — ±1.5 V to ±16 V
Quiescent Current (per Amp) — 350 µA (typical)
Input Offset Voltage — 2 mV (typical)
Gain-Bandwidth Product — 1.1 MHz
Slew Rate — 0.6 V/µs
Common-Mode Rejection Ratio — 85 dB (typical)
Power Supply Rejection Ratio — 100 dB (typical)
Output Current — 40 mA (source/sink)

Datenblätter & Ressourcen

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