NCV2904DR2G vs LM358DT Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de NCV2904DR2G par onsemi et LM358DT par STMicroelectronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Comparaison des spécifications

Paramètre NCV2904DR2G LM358DT
Marque onsemi STMicroelectronics
Catégorie Amplifier ICs Amplifier ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,19 $0,05
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Supply Voltage (Single Supply) 3.0 V to 26 V —
Supply Voltage (Split Supply) +/-1.5 V to +/-13 V —
Common Mode Input Range Extends to ground/VEE —
Output Short circuit protected —
Input Stage True differential input —
Compensation Internally compensated —
ESD Protection ESD clamps on inputs —
Input Bias Current Low input bias current 45 nA (typical)
Power Drain Low power drain —
Boîtier SOIC-8 (Case 751, D suffix) SOIC-8 (SO-8)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Qualification NCV automotive grade —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Plage de température de fonctionnement [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +70°C
Number of Channels — 2
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Split) — ±1.5 V to ±16 V
Quiescent Current (per Amp) — 350 µA (typical)
Input Offset Voltage — 2 mV (typical)
Gain-Bandwidth Product — 1.1 MHz
Slew Rate — 0.6 V/µs
Common-Mode Rejection Ratio — 85 dB (typical)
Power Supply Rejection Ratio — 100 dB (typical)
Output Current — 40 mA (source/sink)

Fiches techniques et ressources

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