NCV2904DR2G vs LM358DT Comparación

Comparación detallada lado a lado de NCV2904DR2G por onsemi y LM358DT por STMicroelectronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Comparación de especificaciones

Parámetro NCV2904DR2G LM358DT
Marca onsemi STMicroelectronics
Categoría Amplifier ICs Amplifier ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,19 $0,05
Amplifier Type General Purpose Operational Amplifier —
Number of Circuits 2 —
Supply Voltage (Single Supply) 3.0 V to 26 V —
Supply Voltage (Split Supply) +/-1.5 V to +/-13 V —
Common Mode Input Range Extends to ground/VEE —
Output Short circuit protected —
Input Stage True differential input —
Compensation Internally compensated —
ESD Protection ESD clamps on inputs —
Input Bias Current Low input bias current 45 nA (typical)
Power Drain Low power drain —
Encapsulado SOIC-8 (Case 751, D suffix) SOIC-8 (SO-8)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Qualification NCV automotive grade —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Rango de temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] 0°C to +70°C
Number of Channels — 2
Supply Voltage (Single) — 3 V to 32 V
Supply Voltage (Split) — ±1.5 V to ±16 V
Quiescent Current (per Amp) — 350 µA (typical)
Input Offset Voltage — 2 mV (typical)
Gain-Bandwidth Product — 1.1 MHz
Slew Rate — 0.6 V/µs
Common-Mode Rejection Ratio — 85 dB (typical)
Power Supply Rejection Ratio — 100 dB (typical)
Output Current — 40 mA (source/sink)

Hojas de datos y recursos

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