NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A256M16LY-062E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5AD512M16C4-JRU von Nanya Technology und MT40A256M16LY-062E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ Aktiv
Spezifikationsvergleich
| Parameter | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A256M16LY-062E |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Micron Technology |
| Kategorie | DRAM | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $83,00 | $5,30 |
| Speichertyp | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Speicherorganisation | 512M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Gehäuse | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Betriebstemperatur | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| Schnittstelle | CMOS, DDR4 | Parallel |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Montageart | Surface Mount | Surface Mount |
| RoHS-Status | Green Product (per Nanya product page) | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) |
| Speichergröße | — | 4 Gbit |
| Access Time (tAA) | — | 19 ns |
| Data Rate Class | — | DDR4-2666 (062E speed grade) |
| Operating Temperature (IT variant) | — | -40C to +95C |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| FBGA Code | — | D9XSG (AUT variant) |