NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A256M16LY-062E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5AD512M16C4-JRU par Nanya Technology et MT40A256M16LY-062E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya
NT5AD512M16C4-JRU ✓ Actif
Comparaison des spécifications
| Paramètre | NT5AD512M16C4-JRU | MT40A256M16LY-062E |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Micron Technology |
| Catégorie | DRAM | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $83,00 | $5,30 |
| Type de mémoire | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Density | 8 Gbit | — |
| Organisation de la mémoire | 512M x 16 | 256M x16 |
| Clock Frequency | 1600 MHz (3200 Mbps data rate) | 1.6 GHz |
| CAS Latency (CL) | 22 at 1600 MHz | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.2 V | 1.2 V |
| Boîtier | 96-ball FBGA (PBGA96) | 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm) |
| Température de fonctionnement | -40 C to +95 C (industrial grade) | — |
| Interface | CMOS, DDR4 | Parallel |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Built-in Temperature Sensor | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask (DM) | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | — |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Statut RoHS | Green Product (per Nanya product page) | Compliant (F = RoHS/lead-free finish) |
| Taille de mémoire | — | 4 Gbit |
| Access Time (tAA) | — | 19 ns |
| Data Rate Class | — | DDR4-2666 (062E speed grade) |
| Operating Temperature (IT variant) | — | -40C to +95C |
| CRC (Command/Address) | — | Yes |
| FBGA Code | — | D9XSG (AUT variant) |