NT5AD512M16C4-JRU vs MT40A256M16LY-062E 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5AD512M16C4-JRU 제조: Nanya Technology 및 MT40A256M16LY-062E 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5AD512M16C4-JRU NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU - DDR4 8Gb 512Mx16 Industrial SDRAM | Nanya

NT5AD512M16C4-JRU ✓ 활성
Micron Technology
MT40A256M16LY-062E MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E - 4Gb DDR4 SDRAM x16 | Micron

MT40A256M16LY-062E ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5AD512M16C4-JRU MT40A256M16LY-062E
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 DRAM Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $83.00 $5.30
메모리 유형 DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM
Density 8 Gbit —
메모리 구성 512M x 16 256M x16
Clock Frequency 1600 MHz (3200 Mbps data rate) 1.6 GHz
CAS Latency (CL) 22 at 1600 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V 1.2 V
패키지 96-ball FBGA (PBGA96) 96-FBGA (7.5 x 13.5 mm)
동작 온도 -40 C to +95 C (industrial grade) —
인터페이스 CMOS, DDR4 Parallel
Auto Self-Refresh Yes Yes
Built-in Temperature Sensor Yes —
Auto Precharge Yes Yes
Asynchronous Reset Yes —
Data Mask (DM) Yes Yes
Write Leveling Yes Yes
Dynamic On-Chip Termination (ODT) Yes Yes
ZQ Calibration Yes Yes
CRC Function Yes —
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
RoHS 상태 Green Product (per Nanya product page) Compliant (F = RoHS/lead-free finish)
메모리 크기 — 4 Gbit
Access Time (tAA) — 19 ns
Data Rate Class — DDR4-2666 (062E speed grade)
Operating Temperature (IT variant) — -40C to +95C
CRC (Command/Address) — Yes
FBGA Code — D9XSG (AUT variant)

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