NT5CC256M16CP-DII vs MT41K256M16TW-107 Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16CP-DII von Nanya Technology und MT41K256M16TW-107 von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16CP-DII MT41K256M16TW-107
Marke Nanya Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $2,30 $14,10
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Speicherorganisation 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Datenrate 1600 Mbps —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35 V
Temperature Grade Industrial —
Gehäuse TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (8x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns 20 ns
Technology CMOS —
RoHS Compliant —
Halogenfrei Yes —
Betriebstemperaturbereich -40°C to +95°C —
Speichergröße — 4 Gbit
Schnittstelle — Parallel
Datenbusbreite — 16 bit
Montageart — Surface Mount
Betriebstemperatur — 0C to +95C (commercial :P grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS-Status — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL-Level — [DATA_NEEDED: MSL level]

Datenblätter & Ressourcen

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