NT5CC256M16CP-DII vs MT41K256M16TW-107 비교

다음의 상세 나란히 비교: NT5CC256M16CP-DII 제조: Nanya Technology 및 MT41K256M16TW-107 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ 활성
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ 활성

사양 비교

파라미터 NT5CC256M16CP-DII MT41K256M16TW-107
브랜드 Nanya Technology Micron Technology
카테고리 Memory ICs Memory ICs
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $2.30 $14.10
메모리 유형 DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
메모리 구성 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
데이터 속도 1600 Mbps —
공급 전압 1.35 V 1.35 V
Temperature Grade Industrial —
패키지 TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (8x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns 20 ns
Technology CMOS —
RoHS Compliant —
할로겐 프리 Yes —
동작 온도 범위 -40°C to +95°C —
메모리 크기 — 4 Gbit
인터페이스 — Parallel
데이터 버스 폭 — 16 bit
실장 유형 — Surface Mount
동작 온도 — 0C to +95C (commercial :P grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
RoHS 상태 — [DATA_NEEDED: RoHS status]
MSL 레벨 — [DATA_NEEDED: MSL level]

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