NT5CC256M16CP-DII vs MT41K256M16TW-107 Comparación

Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16CP-DII por Nanya Technology y MT41K256M16TW-107 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DII NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16CP-DII ✓ Activo
Micron Technology
MT41K256M16TW-107 MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro NT5CC256M16CP-DII MT41K256M16TW-107
Marca Nanya Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $2,30 $14,10
Tipo de memoria DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Organización de memoria 256M x 16 256M x 16
Total Density 4Gb —
Clock Frequency 800 MHz 933 MHz (DDR3L-1866)
Velocidad de datos 1600 Mbps —
Tensión de alimentación 1.35 V 1.35 V
Temperature Grade Industrial —
Encapsulado TFBGA-96 (9x13 mm, 0.8 mm pitch) 96-FBGA (8x14 mm)
Number of Terminals 96 —
Refresh Cycles 8192 —
Access Time 0.225 ns 20 ns
Technology CMOS —
RoHS Compliant —
Sin halógenos Yes —
Rango de temperatura de funcionamiento -40°C to +95°C —
Tamaño de memoria — 4 Gbit
Interfaz — Parallel
Ancho del bus de datos — 16 bit
Tipo de montaje — Surface Mount
Temperatura de funcionamiento — 0C to +95C (commercial :P grade)
Auto Self-Refresh — Yes
Auto Precharge — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Data Mask — Yes
Write Leveling — Yes
Dynamic On-Die Termination — Yes
ZQ Calibration — Yes
Estado RoHS — [DATA_NEEDED: RoHS status]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: MSL level]

Hojas de datos y recursos

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