NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIB Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology und NT5CC256M16CP-DIB von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DIB |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $6,50 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35V | 1.35V |
| Datenrate | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (DDR3L-1600) |
| Gehäuse | VFBGA-96 | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) |
| Betriebstemperaturbereich | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS-Latenz | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Schnittstelle | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Internal Banks | — | 8 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Halogenfrei | — | Yes |
| Package Shape | — | Rectangular |