NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIB Comparação

Comparação detalhada lado a lado de NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology e NT5CC256M16CP-DIB por Nanya Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16DP-DI ✓ Ativo
Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology

NT5CC256M16CP-DIB ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro NT5CC256M16DP-DI NT5CC256M16CP-DIB
Marca Nanya Technology Nanya Technology
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $6,50 $6,50
Tipo de memória DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb 4Gb
Organização da memória 256M x 16 256M x 16
Tensão de alimentação 1.35V 1.35V
Taxa de dados 1600 Mbps/pin (800MHz) 1600 Mbps (DDR3L-1600)
Encapsulamento VFBGA-96 TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch)
Faixa de temperatura de operação -40°C to +95°C (industrial) —
Latência CAS 11, 12, 13 (programmable) —
Burst Length 8, 4 (with burst chop) —
Number of Banks 8 —
Interface Differential clock (CK, CK#) —
Refresh Auto-refresh and self-refresh —
On-Die Termination Yes (ODT) —
RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes —
Number of Terminals — 96
Internal Banks — 8
Refresh Cycles — 8192
CAS Latency (CL) — 5, 6, 7, 8, 9
Write Latency (CWL) — 5, 6, 7, 8, 9
Temperature Grade — Industrial (-40°C to +95°C)
Livre de halogênio — Yes
Package Shape — Rectangular

Fichas técnicas e recursos

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