NT5CC256M16DP-DI vs NT5CC256M16CP-DIB 비교
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Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya Technology
NT5CC256M16CP-DIB ✓ 활성사양 비교
| 파라미터 | NT5CC256M16DP-DI | NT5CC256M16CP-DIB |
|---|---|---|
| 브랜드 | Nanya Technology | Nanya Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.50 | $6.50 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | 4Gb |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 공급 전압 | 1.35V | 1.35V |
| 데이터 속도 | 1600 Mbps/pin (800MHz) | 1600 Mbps (DDR3L-1600) |
| 패키지 | VFBGA-96 | TFBGA-96 (9x13mm, 0.8mm pitch) |
| 동작 온도 범위 | -40°C to +95°C (industrial) | — |
| CAS 레이턴시 | 11, 12, 13 (programmable) | — |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| 인터페이스 | Differential clock (CK, CK#) | — |
| Refresh | Auto-refresh and self-refresh | — |
| On-Die Termination | Yes (ODT) | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | — |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Internal Banks | — | 8 |
| Refresh Cycles | — | 8192 |
| CAS Latency (CL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Write Latency (CWL) | — | 5, 6, 7, 8, 9 |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| 할로겐 프리 | — | Yes |
| Package Shape | — | Rectangular |