NT5CC256M16DP-DIH vs NT5CC256M16DP-DI Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16DP-DIH von Nanya Technology und NT5CC256M16DP-DI von Nanya Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | NT5CC256M16DP-DIH | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marke | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $20,00 | $6,50 |
| Speichertyp | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V |
| Datenrate | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Gehäuse | 96-ball VFBGA | VFBGA-96 |
| Betriebstemperaturbereich | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C (industrial) |
| CAS-Latenz | 11 (typical) | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Banks | — | 8 |
| Schnittstelle | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |