NT5CC256M16DP-DIH vs NT5CC256M16DP-DI Comparación
Comparación detallada lado a lado de NT5CC256M16DP-DIH por Nanya Technology y NT5CC256M16DP-DI por Nanya Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | NT5CC256M16DP-DIH | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marca | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $20,00 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35V |
| Velocidad de datos | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Encapsulado | 96-ball VFBGA | VFBGA-96 |
| Rango de temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C (industrial) |
| Latencia CAS | 11 (typical) | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interfaz | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |