NT5CC256M16DP-DIH vs NT5CC256M16DP-DI Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de NT5CC256M16DP-DIH par Nanya Technology et NT5CC256M16DP-DI par Nanya Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Nanya Technology
NT5CC256M16DP-DIH - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1.35V | Nanya
NT5CC256M16DP-DIH ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | NT5CC256M16DP-DIH | NT5CC256M16DP-DI |
|---|---|---|
| Marque | Nanya Technology | Nanya Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $20,00 | $6,50 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gbit | 4Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V |
| Débit de données | 1600 Mbps (DDR3-1600) | 1600 Mbps/pin (800MHz) |
| Boîtier | 96-ball VFBGA | VFBGA-96 |
| Plage de température de fonctionnement | 0°C to +95°C | -40°C to +95°C (industrial) |
| Latence CAS | 11 (typical) | 11, 12, 13 (programmable) |
| Burst Length | 8, 4 | 8, 4 (with burst chop) |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Number of Banks | — | 8 |
| Interface | — | Differential clock (CK, CK#) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| On-Die Termination | — | Yes (ODT) |
| Lead-Free | — | Yes |