NT5CC256M16ER-EK vs MT41K256M16TW-107:P Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von NT5CC256M16ER-EK von Nanya Technology und MT41K256M16TW-107:P von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Nanya Technology
NT5CC256M16ER-EK NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | Nanya

NT5CC256M16ER-EK ✓ Aktiv
Micron Technology
MT41K256M16TW-107:P MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P - 4Gb DDR3L SDRAM 933MHz | Micron

MT41K256M16TW-107:P ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter NT5CC256M16ER-EK MT41K256M16TW-107:P
Marke Nanya Technology Micron Technology
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $24,00 $16,00
Speichertyp DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4 Gbit —
Speicherorganisation 256M x 16 —
Versorgungsspannung 1.35 V 1.35V
Datenrate 933 MHz (DDR3L-1866) 1866 MT/s
Gehäuse TFBGA-96 96-FBGA (8x14mm)
Betriebstemperatur 0°C to +95°C 0°C to +95°C
CAS-Latenz [DATA_NEEDED: CAS Latency] 13
Burst Length 8, 4 (with burst chop) 8
Schnittstelle Parallel —
Montageart Surface Mount Surface Mount
RoHS-Status Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
Auto Self-Refresh Yes —
Write Leveling Yes —
Dynamic ODT Yes —
ZQ Calibration Yes —
Speichergröße — 4Gbit (256M x 16)
Clock Frequency — 933 MHz
I/O Voltage — 1.35V
tRCD — 20 ns
tRP — 20 ns

Datenblätter & Ressourcen

Alle Produkte durchsuchen BOM erstellen Angebot anfordern