SS0530_R1_00001 vs SRVBS260NT3G Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von SS0530_R1_00001 von Panjit und SRVBS260NT3G von onsemi. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Spezifikationsvergleich

Parameter SS0530_R1_00001 SRVBS260NT3G
Marke Panjit onsemi
Kategorie Diodes Diodes
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $0,04 $0,11
Manufacturer Panjit International Inc. onsemi
Diode Type Schottky Barrier Diode (SBD) —
Configuration Single, 1 Phase, 1 Element —
Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 500 mA —
Forward Voltage Drop (VF) 430 mV @ 500 mA —
Gehäuse SOD-123 SMB (surface mount, C-bend leads)
Montageart Surface Mount Surface Mount
Pin-Anzahl 2 —
Betriebstemperaturbereich [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +125 C
Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr] —
Packaging Tape & Reel —
RoHS-Status Compliant Compliant
Technology Schottky (metal-semiconductor junction) —
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Datenblätter & Ressourcen

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