SS0530_R1_00001 vs SRVBS260NT3G Comparação

Comparação detalhada lado a lado de SS0530_R1_00001 por Panjit e SRVBS260NT3G por onsemi. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Comparação de especificações

Parâmetro SS0530_R1_00001 SRVBS260NT3G
Marca Panjit onsemi
Categoria Diodes Diodes
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,04 $0,11
Manufacturer Panjit International Inc. onsemi
Diode Type Schottky Barrier Diode (SBD) —
Configuration Single, 1 Phase, 1 Element —
Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 500 mA —
Forward Voltage Drop (VF) 430 mV @ 500 mA —
Encapsulamento SOD-123 SMB (surface mount, C-bend leads)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Contagem de pinos 2 —
Faixa de temperatura de operação [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +125 C
Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr] —
Packaging Tape & Reel —
Status RoHS Compliant Compliant
Technology Schottky (metal-semiconductor junction) —
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

Fichas técnicas e recursos

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