SS0530_R1_00001 vs SRVBS260NT3G 비교

다음의 상세 나란히 비교: SS0530_R1_00001 제조: Panjit 및 SRVBS260NT3G 제조: onsemi. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.

사양 비교

파라미터 SS0530_R1_00001 SRVBS260NT3G
브랜드 Panjit onsemi
카테고리 Diodes Diodes
수명 주기 상태 활성 활성
재고 상태 In Stock In Stock
단가 (USD) $0.04 $0.11
Manufacturer Panjit International Inc. onsemi
Diode Type Schottky Barrier Diode (SBD) —
Configuration Single, 1 Phase, 1 Element —
Reverse Voltage (VRRM) 30 V —
Average Rectified Forward Current (IF(AV)) 500 mA —
Forward Voltage Drop (VF) 430 mV @ 500 mA —
패키지 SOD-123 SMB (surface mount, C-bend leads)
실장 유형 Surface Mount Surface Mount
핀 수 2 —
동작 온도 범위 [DATA_NEEDED: operating temperature range] -55 C to +125 C
Forward Surge Current (IFSM) [DATA_NEEDED: IFSM] —
Reverse Leakage Current (IR) [DATA_NEEDED: IR at rated VR] —
Reverse Recovery Time (trr) [DATA_NEEDED: trr] —
Packaging Tape & Reel —
RoHS 상태 Compliant Compliant
Technology Schottky (metal-semiconductor junction) —
Product Type — Schottky Power Rectifier (single diode)
Reverse Test Voltage (VRRM) — 60 V
Maximum Average Forward Current (IF(AV)) — 2 A
Maximum Forward Voltage (VF) — 0.63 V at 2 A
Peak Reflow Temperature — 260 C
Terminal Form — C BEND
Terminal Position — DUAL
Number of Terminals — 2
Package Shape — RECTANGULAR
Terminal Finish — Matte Tin
Diode Technology — Schottky Barrier (epitaxial construction, oxide passivation, metal overlay contact)

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